理工学部 |
電気電子情報通信工学科 |
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| 二本 正昭 / フタモト マサアキ
理工学部電気電子情報通信工学科・教授 |
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電子デバイスには各種の機能薄膜が用いられています。デバイスの性能向上では,材料薄膜が持つ可能性と問題点を良く調べ,その特長が十分発揮されるようにデバイス設計に反映させることが必要です。この研究では,主として金属系薄膜を対象にMBE装置などを用いて膜形成を行い,薄膜の微細構造,磁化状態,あるいは電気的特性などを解析し,薄膜材料の問題点と可能性を研究しています。
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超高真空MBE装置 |
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【特許】 |
特許第3141555号 特許第2996940号 特許第2590142号 |
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ハード磁気ディスクや磁気カードなどの磁気記録媒体を中心に,媒体の微細構造と記録磁化状態の関係を電子顕微鏡やプローブ顕微鏡技術を用いて調べています。温度や磁場に対する記録状態の安定性をナノメータレベルで研究することにより,環境変化に強い高密度情報記録デバイスの可能性を探索することができます。
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ハード磁気ディスクの高温(300℃)における記録磁化状態 |
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【特許】 |
特許第3652999号 特許第3639281号 特許第3612087号 特許第2834231号 米国特許第6541124号
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【キーワード】 |
記憶・記録 磁気記録デバイス 電子デバイス・電子機器 |
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基板に対して結晶方位が制御されたエピタキシャル磁性膜は,高密度磁気記録媒体や薄膜磁石に応用されています。また単結晶磁性薄膜を用いて磁気物性を調べることによって,磁性膜応用デバイスの特性の改善可能性などが分かります。現在,MBEなどの薄膜形成装置を用いてFe,Co,Ni系や希土類系材料のエピタキシャル磁性膜を作製し,将来の超高密度磁気記録媒体であるパターンメディアへの適用を目指した研究を推進中です。この研究ではナノメータからサブナノメータレベルで構造制御されたエピタキシャル磁性膜の創生が目標です。
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薄膜のナノ構造観察に用いるプローブ顕微鏡 |
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